КТ863Б

На постоянной основе покупаем транзисторы серии КТ863Б из складских резервов промышленного назначения, неликвидов предприятий и организаций.

КТ863Б
Транзисторы КТ863Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, электронных фотовспышках.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ863Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 4 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (30В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 70
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,06 Ом

Все предложения просьба направлять на электронную почту.
В ваших предложениях, пожалуйста, уточняйте: условия хранения, есть ли фабричная упаковка, состояние деталей, количество и маркировку изделий.