КТ852В

Покупаем транзисторы КТ852В из невостребованных активов организаций и промышленных предприятий, сверхнормативных остатков промышленных предприятий, сверхнормативных резервов промышленного назначения.

КТ852В
Транзисторы КТ852В кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ852В:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2,5 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (60В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 1000
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 28 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом
tвыкл - Время выключения: не более 2000 нс

Предложения просим отправлять на нашу электронную почту.
В ваших предложениях, пожалуйста, уточняйте: маркировку товара, условия хранения товара и состояние.