КТ812В

Срочно куплю транзисторы КТ812В - все что у вас есть из сверхнормативных резервов организаций и промышленных предприятий, производственных остатков промышленного назначения, невостребованных активов.

КТ812В
Транзисторы КТ812В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ812В:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (0,1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом

Все ваши предложения просьба направлять на электронную почту.
В ваших предложениях уточняйте: наличие фабричной упаковки, фирму производителя, маркировку деталей, условия хранения и количество.