КТ646В

Покупаем транзисторы типа КТ646В - ваше количество из сверхнормативных запасов промышленных предприятий и организаций, сверхнормативных остатков предприятий.

КТ646В
Транзисторы КТ646В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жестки ми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ646В:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (40В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 150... 300
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,06 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 120 пс

Предложения просим отправлять по контактам.
В своих предложениях, просим, уточняйте: состояние, условия хранения, наличие упаковки у транзисторов и количество.