КТ501В

На постоянной основе покупаем транзисторы серии КТ501В из сверхнормативных запасов, производственных резервов.

КТ501В
Транзисторы КТ501В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ501В:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (10кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 80... 240
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом

Все ваши предложения просим направлять по любым нашим контактам.
В своих предложениях, просим, указывайте: количество деталей, производителя изделий, наличие упаковки у, состояние и маркировку.