КТ325В

Регулярно приобретаем транзисторы серии КТ325В из производственных запасов, складских резервов.

КТ325В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.
Выпускаются в:
- металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В)
- пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КТ325АМ, КТ325БМ, КТ325ВМ).
Тип приборов 2Т325А-2Т325В и КТ325А-КТ325В указывается на корпусе.
На приборах в пластмассовом корпусе маркировка указывается в сокращенном виде: 325А, 325Б, 325В.
Масса транзистора не более 1,2 г в металлостеклянном корпусе и не более 0,5 г в пластмассовом корпусе.
Основные технические характеристики транзистора КТ325В:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1000 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 160... 400
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс

Предложения просьба отправлять на нашу электронную почту.
В своих предложениях, просим, отображайте: год выпуска товара, состояние, условия хранения, наличие заводской упаковки у изделий и маркировку деталей.