КТ3123ВМ

Выкуп транзисторов серии КТ3123ВМ - ваше количество из складских неликвидов промышленных предприятий и организаций, производственных запасов промышленного назначения, складских остатков промышленного назначения.

КТ3123ВМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные.
Транзисторы 2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2, КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2 выпускаются на керамическом держателе КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ - в металлокерамическом корпусе.
Масса транзисторов:
2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2, КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2 не более 0,1 г
КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ не более 0,3 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ3123ВМ:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3500 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 25 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 40
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,2 пФ
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2,4 дБ на частоте 1 ГГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс

Все ваши предложения просим отправлять на наш email.
В ваших предложениях уточняйте: объем предлагаемой вами партии, маркировку изделий, состояние и год выпуска.