КТ3117А-9

Выкупаем транзисторы серии КТ3117А-9 из неликвидов промышленных предприятий и организаций, резервов промышленного назначения, сверхнормативных остатков промышленного назначения.

КТ3117А-9
Транзисторы КТ3117А-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Основные технические характеристики транзистора КТ3117А-9:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...200
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Все предложения просим отправлять на электронную почту.
В предложениях, просим, отображайте: условия хранения, маркировку, дата выпуска, есть ли фабричная упаковка у транзисторов и производителя.