КТ3117А

Приобретаем транзисторы серии КТ3117А из сверхнормативных остатков, невостребованных активов предприятий и организаций.

КТ3117А
Транзисторы КТ3117А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (КТ3117А, КТ3117Б) и в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КТ3117А1). Тип прибора указывается на корпусе и в этикетке.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 0,4 г, в пластмассовом корпусе не более 0,3 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ3117А:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В)
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...200
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Все ваши предложения просьба направлять по нашим контактам.
В своих предложениях указывайте: условия хранения, наличие заводской упаковки, дата выпуска, маркировку и объем партии изделий.