КТ117Б

На постоянной основе покупаем транзисторы серии КТ117Б из сверхнормативных резервов промышленного назначения, складских остатков.

КТ117Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа.
Предназначены для применения в маломощных генераторах.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г, КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г) и в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КТ117АМ, КТ117БМ, КТ117ВМ, КТ117ГМ).
Тип прибора указывается на корпусе и этикетке.
Масса транзистора:
в металлическом корпусе не более 0,45 г,
в пластмассовом не более 0,3 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ117Б:
Структура транзистора: n-база
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт
fmax - Максимальная частота генерации: 0,2 МГц
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 0,65... 0,9

Ваши предложения просьба направлять по любым нашим контактам.
В своих предложениях указывайте: условия хранения, дата выпуска и состояние.