2Т933Б

Выкупаем транзисторы серии 2Т933Б из производственных резервов промышленного назначения, сверхнормативных запасов промышленных предприятий.

2Т933Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.
Выпускаются в металлостеклянных корпусах с гибкими 2Т933А, 2Т933Б и жесткими КТ933А, КТ933Б выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 2Т933А, 2Т933Б не более 1,5 г, КТ933А, КТ933Б не более 24 г без накидного фланца.
Масса накидного фланца не более 12 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т933Б:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 75 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 0,5 мА (80В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 30
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,75 Ом

Предложения просим отправлять по любым нашим контактам.
В своих предложениях, просим, отображайте: год выпуска, наличие заводской упаковки и фирму производителя транзисторов типа 2Т933Б.