2Т930Б

Покупаем транзисторы типа 2Т930Б - ваше количество из неликвидов, невостребованного имущества, производственных резервов промышленного назначения.

2Т930Б
Транзисторы 2Т930Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т930Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 120 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 600 МГц
Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 100 мА (50В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 170 пФ
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3,5 дБ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 75 Вт на частоте 400 МГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 11 пс

Все ваши предложения просим направлять на электронный адрес.
В ваших предложениях, просим, отображайте: маркировку, количество товара, фирму производителя транзисторов типа 2Т930Б, год выпуска и состояние транзисторов.