2Т828Б

Приобретаем транзисторы типа 2Т828Б из производственных неликвидов предприятий и организаций, сверхнормативных остатков организаций и промышленных предприятий, сверхнормативных запасов промышленного назначения.

2Т828Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, высоковольтных переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т828А, 2Т828Б, КТ828А, КТ828Б, КТ828В, КТ828Г выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т828Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 600 В (0,01кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7,5 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (1400В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 2,25
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,66 Ом

Предложения просьба направлять по контактам.
В предложениях, пожалуйста, указывайте: состояние, объем предлагаемой партии и дата выпуска.