2Т809А

Выкуп транзисторов типа 2Т809А - все что у вас накопилось из производственных запасов промышленного назначения, сверхнормативных резервов организаций и предприятий, невостребованного имущества промышленного назначения.

2Т809А
Транзисторы 2Т809А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора без накладного фланца не более 22 г.
Масса накидного фланца не более 12 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т809А:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,1 мГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400 В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 150 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом

Предложения просим направлять на электронную почту.
В своих предложениях, пожалуйста, отображайте: наличие заводской упаковки у, условия хранения и производителя.