2Т606А

Выкупаем транзисторы типа 2Т606А из складских резервов промышленного назначения, складских неликвидов.

2Т606А
Транзисторы 2Т606А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т606А:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2,5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 350 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1,5 мкА (60В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,8 Вт на частоте 400 МГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс

Ваши предложения просим отправлять по любым контактам.
В предложениях, просим, отображайте: условия хранения, дата выпуска транзисторов, маркировку, фирму производителя и объем партии товара.