2Т505Б

Приобретаем транзисторы 2Т505Б из невостребованного имущества организаций, производственных неликвидов.

2Т505Б
Транзисторы 2Т505Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих, устройствах.
Транзисторы 2Т505А, 2Т505Б, КТ505А, КТ505Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т505А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,003 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т505Б:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 250 В (0,1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25... 140
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом

Все предложения просим отправлять на email.
В предложениях, просим, указывайте: маркировку, есть ли фабричная упаковка у изделий, состояние и дата выпуска.